микросхемы rom адаптеров и память специального назначения

Энергонезависимая память

Сделайте сайт лучше

Какого раздела нехватает сайту?

Архитектуры процессора

Обобщенно под энергонезависимой памятью (NV Storage) подразумевается любое устройство, хранящее записанные данные даже при отсутствии питающего напряжения (в отличие от статической и динамической полупроводниковой памяти). В данном разделе рассматриваются только электронные устройства энергонезависимой памяти, хотя к энергонезависимой памяти относятся и устройства с подвижным магнитным или оптическим носителем. Существует множество типов энергонезависимой памяти (ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash Memory, FRAM), различающихся по своим потребительским свойствам, обусловленным способом построения запоминающих ячеек и сферами применения. Запись информации в энергонезависимую память, называемая программированием, обычно существенно сложнее и требует больших затрат времени и энергии, чем считывание. Программирование ячейки (или блока) — это целая процедура, в которую могут быть вовлечены специальные команды записи и верификации. Основным режимом работы такой памяти является считывание данных, а некоторые типы памяти после программирования допускают только считывание, что и обусловливает их общее название — «память только для чтения» (Read Only Memory, ROM), или ПЗУ (постоянное запоминающее устройство). Самые первые постоянные запоминающие устройства выполнялись на магнитных сердечниках, где информация заносилась их прошивкой проводниками считывания. С тех пор применительно к программированию ПЗУ укоренилось понятие «прошивка».

Запоминающие ячейки энергонезависимой памяти по своей природе обычно асимметричны и, как правило, позволяют записывать только нули в нужные

биты предварительно стертых (чистых) ячеек, содержащие единицы. Для некоторых типов памяти чистым считается нулевое состояние ячеек. Однократно программируемые микросхемы позволяют изменять только исходное (после изготовления) состояние ячеек. Для стирания (если оно возможно) требуются значительные затраты энергии (мощности и времени), и процедура стирания обычно существенно дольше записи. Стирание ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо для определенного блока, либо для одной ячейки (байта). Стирание природит все биты стираемой области в одно состояние (обычно во все единицы, реже — во все нули).

Процедура программирования многих типов памяти требует относительно высокого напряжения программирования (12-26 В), а для однократно программируемых (прожигаемых) микросхем — и специального (не ТТЛ) интерфейса управления. После программирования нужна верификация — сравнение записанной информации с оригиналом, причем некачественное управление программированием (или брак микросхемы) может приводить к «зарастанию» записанной ячейки, что потребует повторного (возможно, и неудачного) ее программирования. Возможен и обратный вариант, когда «пробиваются» соседние ячейки, что требует повторного стирания (тоже, возможно, неудачного). Стирание и программирование микросхем может выполняться либо в специальном устройстве — программаторе, либо в самом целевом устройстве, если у него предусмотрены соответствующие средства. Микросхемы различают по возможности программирования:

¦ Микросхемы, программируемые при изготовлении, — масочные ПЗУ, содержимое которых определяется рисунком технологического шаблона. Такие микросхемы используют лишь при выпуске больших партий устройств с одной и той же прошивкой.

¦ Микросхемы, программируемые однократно после изготовления перед установкой в целевое устройство, — ППЗУ (программируемые ПЗУ), или PROM (Programmable ROM). Программирование осуществляется прожиганием определенных хранящих элементов на сцециальных устройствах-программаторах.

source